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集成黑硅納米結(jié)構(gòu)吸收層及多層組合膜結(jié)構(gòu)的敏感元件

707   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-02 00:30:09
本發(fā)明涉及紅外氣體探測(cè)器的敏感元件,具體是一種集成黑硅納米結(jié)構(gòu)吸收層及多層組合膜結(jié)構(gòu)的敏感元件,進(jìn)一步提高了熱釋電薄膜型紅外氣體探測(cè)器的檢測(cè)性能。所述敏感元件由兩塊敏感元基片加工獲得,其加工方法包括:1、加工第一敏感元基片;2、加工第二敏感元基片;3、加工敏感元件。加工工藝合理,所得敏感元件具備良好的熱吸收性能和熱響應(yīng)性能,能用于構(gòu)建高性能紅外氣體探測(cè)器,滿足環(huán)境安全、煤礦生產(chǎn)安全、以及危化品氣體儲(chǔ)運(yùn)、煤氣管道防泄、森林火災(zāi)防護(hù)、工業(yè)安全生產(chǎn)等領(lǐng)域中的監(jiān)測(cè)需要。
聲明:
“集成黑硅納米結(jié)構(gòu)吸收層及多層組合膜結(jié)構(gòu)的敏感元件” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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