本發(fā)明涉及用熱氧化氮化鋅制備受主型氧化鋅 薄膜材料的方法。在不同襯底上通過高溫?zé)嵫趸\單晶薄 膜獲得p-型氧化鋅材料,通過控制氧化溫度與熱氧化時間來 控制p-型氧化鋅材料的受主雜質(zhì)濃度。利用高溫條件下氧易 于替代立方反鐵
錳礦結(jié)構(gòu)氮化鋅中的氮,并形成六方結(jié)構(gòu)p- 型氧化鋅,可實(shí)現(xiàn)氮的替位摻雜形成p-型氧化鋅,并通過熱 氧化氮化鋅薄膜制備出受主濃度為6×1016-4×1018cm-3的具有六方結(jié)構(gòu)的p-型氧化鋅薄膜材料。方法簡單,實(shí)驗條件可控,可實(shí)現(xiàn)對p-型氧化鋅電學(xué)性質(zhì)和載流子濃度的控制,以滿足制備氧化鋅P-N結(jié)材料和光電子器件等方面的需要,可用于制備氧化鋅紫外發(fā)光管、激光二極管、紫外探測器。
聲明:
“用熱氧化氮化鋅制備受主型氧化鋅薄膜材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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