本發(fā)明涉及一種ZnSe納米線及其制備方法和應(yīng)用,該ZnSe納米線沿< 100> 晶向生長(zhǎng),具有閃鋅礦結(jié)構(gòu),其平均直徑為20?80nm,長(zhǎng)度為0.5?10μm,尺寸均勻,結(jié)晶度良好,無(wú)堆垛層錯(cuò)等結(jié)構(gòu)缺陷。本發(fā)明通過(guò)將ZnSe粉末作為反應(yīng)前驅(qū)物,以金作為催化劑,利用化學(xué)氣相沉積法在FTO導(dǎo)電玻璃或SnO2單晶基片襯底上生長(zhǎng)得到ZnSe納米線。該納米線可用于構(gòu)建
太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)器、納米激光器等光電子器件,尤其在太陽(yáng)能光電催化分解水制氫方面表現(xiàn)優(yōu)異,具有良好的應(yīng)用前景。
聲明:
“ZnSe納米線及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)