本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域,具體提供了一種基于氧化鎵多層堆疊結(jié)構(gòu)的PIN二極管,包括最底層的Ga
2O
3襯底、生長在所述Ga
2O
3襯底表面一側(cè)的CsPbI
3層和另一側(cè)的底電極、生長在所述CsPbI
3層表面的
鈣鈦礦層、生長在所述鈣鈦礦層表面的本征ZnO層以及生長在所述ZnO層表面的頂電極;本發(fā)明的PIN二極管具有使載流子快速分離和傳導(dǎo)的性能,應(yīng)用在光電探測器中可以使光電探測器實(shí)現(xiàn)紫外?可見光的雙波段探測。
聲明:
“基于氧化鎵多層堆疊結(jié)構(gòu)的PIN二極管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)