本發(fā)明提供了一種反型QLED器件的制備方法,包括以下步驟:提供陰極和置換配體溶液;在所述陰極上沉積量子點預制薄膜,所述量子點預制薄膜由表面含有初始配體的量子點組成,將所述量子點預制薄膜與所述置換配體溶液中的置換配體進行原位配體交換,將所述初始配體置換為置換配體,得到量子點發(fā)光層,其中,所述置換配體至少含有兩個活性官能團;在所述量子點發(fā)光層表面制備空穴功能層;在所述空穴功能層上制備陽極。
聲明:
“反型QLED器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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