本發(fā)明提供一種降低形核數(shù)量的
鈣鈦礦單晶生長方法。包括水浴條件下將第一金屬化合物與第二鹵素酸混合溶解,并添加第三有機分子化合物制備鈣鈦礦粉末,洗滌干燥。用極性溶劑溶解所制備的鈣鈦礦粉末,并添加聚乙二醇、聚丙二醇或聚乙烯醇等含氧基團聚合物混合攪拌,加熱析出鈣鈦礦單晶。本發(fā)明中選擇將聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇或聚丙烯酸等含氧基團聚合物添加到有機溶劑中,有效降低了晶體生長過程的形核數(shù)量,進而得到大尺寸鈣鈦礦單晶。可以合成六種鉛基有機無機鈣鈦礦單晶。合成方法操作簡單,提高了原料的利用率,制備出的單晶尺寸大、結(jié)晶質(zhì)量高、半導體性能好。為鈣鈦礦材料在
太陽能電池、光電探測器,發(fā)光器件的運用提供基礎(chǔ)。
聲明:
“降低形核數(shù)量的鈣鈦礦單晶生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)