本發(fā)明公開了一種雙向開關(guān)功率模塊及其制備方法,覆銅基板DBC的一側(cè)表面依次設(shè)置有驅(qū)動(dòng)端子、碳化硅MOSFET
芯片和功率端子,碳化硅MOSFET芯片包括多個(gè)且間隔設(shè)置,多個(gè)碳化硅MOSFET芯片之間兩兩一組并聯(lián)連接形成兩個(gè)不同方向的電力電子開關(guān),每個(gè)碳化硅MOSFET芯片的柵極和源極分別經(jīng)驅(qū)動(dòng)電阻與驅(qū)動(dòng)端子連接,多個(gè)碳化硅MOSFET芯片設(shè)置在同一片銅基板上,源極分別與功率端子連接,形成共漏極連接。本發(fā)明具有更高的工作頻率,更好的可靠性,更低的熱阻及良好的電氣性能。
聲明:
“雙向開關(guān)功率模塊及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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