本發(fā)明公開(kāi)了一種大面積
鈣鈦礦微納米線陣列的制備方法及其在光電探測(cè)器中的應(yīng)用;在環(huán)境條件下可以通過(guò)簡(jiǎn)單的刮涂方式或者卷對(duì)卷印刷技術(shù)制備獲得高度取向、大面積的微納米線陣列;所獲得的微納米線長(zhǎng)度達(dá)到毫米級(jí),寬度在100納米到5微米間,微納米線陣列高度取向排列;該制備方法簡(jiǎn)單,成本低廉,高度取向、大面積的鈣鈦礦微納米線陣列可以應(yīng)用于制備光電探測(cè)器。
聲明:
“大面積鈣鈦礦微納米線陣列的制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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