一種電子束蒸發(fā)技術(shù)制備碳化硼薄膜的方法,將碳化硼膜料放到電子束蒸發(fā)設(shè)備的坩堝中,將清洗、干燥后的基片放到電子束蒸發(fā)設(shè)備的加熱電爐上,使基片位于坩堝正上方20cm~30cm處;在真空條件進(jìn)行鍍膜,鍍膜真空度不小于6.0×10-3Pa,基片溫度控制在室溫~450℃,調(diào)節(jié)電子束使其聚焦到膜料上的斑點(diǎn)最小,控制束流值在100mA~180mA,沉積時(shí)間為5min~120min。此種方法既可制備非晶態(tài)碳化硼薄膜,又可制備多晶結(jié)構(gòu)的碳化硼薄膜,還可制備各種不同B、C成分配比的碳化硼薄膜,而且所制備的碳化硼薄膜表面光滑、薄膜致密、均勻性良好。
聲明:
“電子束蒸發(fā)技術(shù)制備碳化硼薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)