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集成電路封裝用AuSn20合金釬料的制備方法和用途

979   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:59:03
一種集成電路封裝用AuSn20合金釬料的制備方法:按配比備金和錫;將它們放熔鑄爐中;封爐,抽真空;升溫,待全熔化后,控制熔體的溫度在500~600℃間,精練,使其合金化并脫氣,澆注在石墨模中;將得到的AuSn20合金棒放入石英管中,加熱;封爐,抽真空至4~6Pa;升溫并控溫升;待合金棒熔化,控制熔體的溫度在500~600℃間,并精煉2~3分鐘;使用真空急冷甩帶機甩帶,甩帶時熔體的溫度控制在500~600℃之間,由石英管上口通入高壓氮氣,氮氣壓力10~15大氣壓,使該合金熔體從石英管底孔噴到真空急冷甩帶機高速旋轉(zhuǎn)的金屬輪上,得到帶材。還可再軋制加工,制成箔帶材或沖壓加工,制備對應(yīng)規(guī)格的片或環(huán)狀的深加工制品。用該方法可制得集成電路性能優(yōu)越的產(chǎn)品。
聲明:
“集成電路封裝用AuSn20合金釬料的制備方法和用途” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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