本發(fā)明公開了一種從廢舊氮化鎵基發(fā)光二極管中回收鎵的方法,將廢舊氮化鎵基發(fā)光二極管經(jīng)過熱解,再通過壓碎-篩分、研磨-篩分得到廢舊氮化鎵基發(fā)光二極管的
芯片富集體,將含有鎵的芯片富集體進行真空冶金分離,回收得到單質(zhì)鎵。本發(fā)明不僅有效回收了廢舊氮化鎵基發(fā)光二極管中的鎵,而且在回收過程中,也使非金屬組分和其他常見金屬得到資源化處理。本發(fā)明在減少環(huán)境污染和提高資源利用率方面優(yōu)勢突出,具有成本低、高效、無污染等特點。
聲明:
“從廢舊氮化鎵基發(fā)光二極管中回收鎵的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)