本發(fā)明屬于圖案化陣列薄膜制備技術領域,具體涉及一種圖案化單晶
鈣鈦礦陣列薄膜的制備方法與應用,基于分子外延定位生長。本發(fā)明使用NH2?CH2CH2?SH分子修飾整列化的圖形電極,用以輔助定位外延生長單晶鈣鈦礦薄膜,并通過空間限制技生長超薄的單晶鈣鈦礦薄膜,實現(xiàn)了單晶鈣鈦礦陣列電極薄膜術的精確定位生長、陣列化和圖形化,極大發(fā)揮了鈣鈦礦材料的優(yōu)越的光學性能;對甲氨基鹵化物鈣鈦礦體系的片上集成光電功能性器件研究擴展了思路,進一步為生產(chǎn)高性能精度、便攜易加工和應用性好的陣列光電探測器以及片上集成光源提供了方法和科學依據(jù),促進了光電探測器和片上集成光電設備的進一步發(fā)展。
聲明:
“圖案化單晶鈣鈦礦陣列薄膜的制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)