本發(fā)明提出了一種FTO/ZnO納米棒/CH3NH3PbI3/MoO3/Au結(jié)構(gòu)的自驅(qū)動(dòng)光電探測(cè)器及其制備方法,其具體結(jié)構(gòu)為FTO層,ZnO納米棒電子傳輸層,也是空穴阻擋層,CH3NH3PbI3為
鈣鈦礦吸光層,半導(dǎo)體氧化物MoO3為空穴傳輸層,也是電子阻擋層,金屬電極是由Au膜組成。采用旋涂、水浴、兩步法合成、蒸鍍等方法制備。本發(fā)明利用了ZnO納米棒/CH3NH3PbI3形成的有機(jī)無(wú)機(jī)雜化異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)及以半導(dǎo)體氧化物MoO3為空穴傳輸層,使本發(fā)明具有較高的響應(yīng)度和探測(cè)器靈敏度,響應(yīng)率和探測(cè)率都分別高達(dá)24.3A/W和3.56×1014cmHz1/2/W,同時(shí)有一定的自驅(qū)動(dòng)能力,不需要外部偏壓來(lái)驅(qū)動(dòng),有利于節(jié)約能源。其各項(xiàng)性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)目前所報(bào)道的Si基探測(cè)器,同時(shí)還可以實(shí)現(xiàn)近紫外和可見(jiàn)紅外的雙重探測(cè)。本發(fā)明操作步驟簡(jiǎn)單,實(shí)驗(yàn)成本低廉,具有較好的應(yīng)用前景。
聲明:
“基于ZnO納米棒/CH3NH3PbI3/MoO3結(jié)構(gòu)的自驅(qū)動(dòng)光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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