本發(fā)明涉及光電探測(cè)領(lǐng)域,公開了一種基于二維材料與氮化鎵薄膜雙異質(zhì)結(jié)的光電探測(cè)器,包括襯底、氮化鎵薄膜、
鈣鈦礦層、第一金屬電極、第二金屬電極,還包括鹵素基二維材料層;所述襯底上依次為第一金屬電極、鈣鈦礦層、氮化鎵薄膜、鹵素基二維材料層、第二金屬電極;所述的鈣鈦礦層與氮化鎵薄膜形成異質(zhì)結(jié),所述的鹵素基二維材料層與氮化鎵薄膜也形成異質(zhì)結(jié);本發(fā)明提供一種基于二維材料與氮化鎵薄膜雙異質(zhì)結(jié)的光電探測(cè)器,通過(guò)構(gòu)建鈣鈦礦/GaN/PbI
2雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),來(lái)加強(qiáng)PbI
2/GaN界面光生載流子的高效分離,使光導(dǎo)增益更大;本發(fā)明還提供了一種基于二維材料與氮化鎵薄膜雙異質(zhì)結(jié)的光電探測(cè)器的制備方法。
聲明:
“基于二維材料與氮化鎵薄膜雙異質(zhì)結(jié)的光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)