本發(fā)明提供一種控制全金屬間化合物微互連焊點(diǎn)晶體取向及微觀組織的方法,其特征在于,通過直流或脈沖電鍍的方法依次在第一金屬焊盤和第二金屬焊盤上分別制備出擇優(yōu)取向納米孿晶Cu作為凸點(diǎn)下金屬化層;然后再在第一金屬焊盤上的第一凸點(diǎn)下金屬化層上制備無鉛釬料凸點(diǎn),將所述無鉛釬料凸點(diǎn)和第二金屬焊盤上的第二凸點(diǎn)下金屬化層接觸放置,并將二者進(jìn)行回流焊處理,使其形成冶金結(jié)合。本發(fā)明中的擇優(yōu)取向全金屬間化合物微互連結(jié)構(gòu)具有優(yōu)異的力學(xué)性能、優(yōu)良的抗電遷移性能和高溫服役可靠性,提高了電子器件的使用壽命,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)。
聲明:
“控制全金屬間化合物微互連焊點(diǎn)晶體取向及微觀組織的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)