本發(fā)明公開了一種用于半導(dǎo)體封裝的固晶材料制備方法包括以下步驟:步驟A、將
石墨烯進(jìn)行氧等離子處理,得到具有含氧官能團(tuán)的石墨烯PTG;步驟B、配制PTG與醋酸銅的混合溶液,得到混合溶液A;步驟C、將混合溶液A加熱得到干燥混合物B;步驟D、將干燥混合物B放入真空退火爐內(nèi),并加熱分解得到PTG/銅納米顆粒;步驟E、將PTG/銅納米顆粒添加到納米銅粉和有機(jī)溶劑中,得到混合物C;步驟F、將混合物C放入燒結(jié)爐內(nèi)燒結(jié)得到固晶材料。本申請(qǐng)的固晶材料在封裝前預(yù)先通過(guò)高溫使石墨烯與銅之間形成化學(xué)鍵,在與
芯片和基板封裝時(shí),只需使混合物C與芯片和基板發(fā)生冶金結(jié)合即可,滿足了第三代半導(dǎo)體封裝對(duì)固晶材料高熱導(dǎo)率、低溫封裝、高溫服役的要求。
聲明:
“用于半導(dǎo)體封裝的固晶材料制備方法及芯片封裝方式” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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