本發(fā)明公開了一種PCBM受體增強型量子點光電探測單元及其制備方法和探測器,涉及光電探測器領域,所述光電探測單元包括底柵電極,所述底柵電極上設置介質(zhì)層,所述介質(zhì)層的上表面設置有金屬電極,所述金屬電極旁側(cè)的介質(zhì)層上表面上設置有單層
石墨烯,且單層石墨烯與金屬電極相連接,所述單層石墨烯上覆蓋有量子點—PCBM雜化薄膜,所述量子點—PCBM雜化薄膜由FaPbBr
3量子點材料和PCBM混合而成。本發(fā)明采用量子點?PCBM雜化薄膜作為感光材料來顯著提升光電探測器的響應,從而解決了現(xiàn)有基于
鈣鈦礦量子點?石墨烯的超高響應光電探測器因光電轉(zhuǎn)換效率低能不能應用的技術問題。
聲明:
“PCBM受體增強型量子點光電探測單元及其制備方法和探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)