本發(fā)明提供了一種PtSe₂/CsPbI₃異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器，包括硅基底以及設(shè)置于所述硅基底上的二氧化硅絕緣層，所述二氧化硅絕緣層上設(shè)有二硒化鉑層，所述二硒化鉑層上設(shè)有CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)層；所述二硒化鉑層上還設(shè)有對(duì)電極，所述對(duì)電極設(shè)于CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)層的兩側(cè)。本發(fā)明還提供了PtSe₂/CsPbI₃異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明PtSe₂/CsPbI₃異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器利用二硒化鉑的高遷移率彌補(bǔ)鈣鈦礦量子點(diǎn)光電探測(cè)器響應(yīng)慢的缺陷，同時(shí)鈣鈦礦量子點(diǎn)的高光吸收效率也彌補(bǔ)了二硒化鉑光吸收率低的問(wèn)題，通過(guò)將二硒化鉑與鈣鈦礦量子點(diǎn)的互補(bǔ)作用，優(yōu)化了PtSe₂/CsPbI₃異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的導(dǎo)電性和光響應(yīng)特性。