本發(fā)明公開了一種利用含氧多孔層吸除硅中雜質(zhì)B的方法。按下述步驟進(jìn)行:a)將硅塊制成50~1000目的硅粉;再對(duì)硅粉預(yù)處理:分別用H
2SO
4與H
2O
2的混合溶液、HF溶液、無(wú)水乙醇溶液以及純水各攪拌清洗,之后放入真空干燥箱中烘干;b)將預(yù)處理后的硅粉用腐蝕液進(jìn)行高溫腐蝕,再用純水進(jìn)行清洗、過(guò)濾后烘干,得到多孔硅;c)多孔硅的氧化:將多孔硅通過(guò)水溶液浸注或高溫退火方式進(jìn)行氧化,在多孔硅表面構(gòu)筑含氧多孔層,得到含氧多孔硅;d)對(duì)含氧多孔硅進(jìn)行酸洗,去除表面氧化層,再進(jìn)行清洗、過(guò)濾后烘干,得到去除B的硅粉。本發(fā)明制備路徑新穎,工藝簡(jiǎn)單,易操作,成本較低,能夠有效的降低冶金級(jí)硅中的B濃度,并能在工藝上使B的濃度很容易的控制。
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“利用含氧多孔層吸除硅中雜質(zhì)B的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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