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去除硅材料表面雜質(zhì)的方法

714   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:50:33
本發(fā)明公開了一種去除硅材料表面雜質(zhì)的方法,屬于新能源材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本方法利用強流脈沖電子束輻照處理硅材料,通過瞬時高能量注入引發(fā)表面蒸發(fā)和表層噴發(fā)過程,發(fā)揮表面蒸發(fā)去除雜質(zhì)和熔體噴發(fā)去除深層雜質(zhì)的雙重效果,獲得具有一定厚度且符合太陽能電池制造使用要求的表層高純多晶硅材料。本方法可對不經(jīng)任何提純預(yù)處理的冶金多晶硅原料、其他提純工藝生產(chǎn)的中間硅材料,以及生產(chǎn)使用中表面出現(xiàn)污染和服役性能下降的回收成品硅材料直接進行表面提純處理,具有操作簡單、投資低、能耗低和無環(huán)境排放污染等優(yōu)點。
聲明:
“去除硅材料表面雜質(zhì)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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