本發(fā)明公開一種基于MEMS工藝的二維薄膜氣體流量傳感器及其加工方法:從上往下依次包括有薄膜掩蔽層、薄膜電阻結(jié)構(gòu)、第一薄膜懸空隔離層、硅基底層和第二薄膜懸空隔離層;第一薄膜懸空隔離層襯于硅基底層上方,第二薄膜懸空隔離層襯于硅基底層下方,第一薄膜懸空隔離層的外表面上設(shè)有薄膜電阻結(jié)構(gòu);薄膜電阻結(jié)構(gòu)包括薄膜測(cè)溫電阻和薄膜加熱電阻,薄膜加熱電阻位于薄膜懸空隔離層的中心位置,薄膜測(cè)溫電阻位于薄膜加熱電阻延展方向的兩側(cè);硅基底層上開設(shè)有反應(yīng)刻蝕溝槽。本發(fā)明體積小,重量輕,精度高,響應(yīng)速度快,功耗低,可批量生產(chǎn)等特點(diǎn),預(yù)期可廣泛應(yīng)用于用于航空航天、交通、電力、冶金、節(jié)能減排等領(lǐng)域,具有極為廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“基于MEMS工藝的二維薄膜氣體流量傳感器及其加工方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)