一種接觸冶金結(jié)構(gòu),包括在襯底上的具有腔的構(gòu)圖的介質(zhì)層;位于所述腔的底部處的例如鈷和/或鎳的硅化物或鍺化物層;包括TI或TI/TIN的接觸層,位于所述介質(zhì)層的頂部上和所述腔內(nèi)并接觸所述底部上的所述硅化物或鍺化物層;位于所述接觸層的頂部上和所述腔內(nèi)的擴(kuò)散阻擋層;位于所述阻擋層的頂部上的用于鍍敷的可選的籽晶層;使用制造方法在過(guò)孔內(nèi)提供金屬填充層。使用選自銅、銠、釕、銥、鉬、金、銀、鎳、鈷、銀、金、鎘和鋅及其合金中的至少一種電淀積所述金屬填充層。當(dāng)所述金屬填充層是銠、釕、或銥時(shí),在所述填充金屬與所述介質(zhì)之間不需要有效的擴(kuò)散阻擋層。當(dāng)所述阻擋層為可鍍敷的時(shí),例如釕、銠、鉑、或銥,不需要所述籽晶層。
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“形成電淀積接觸的結(jié)構(gòu)及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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