本發(fā)明涉及
半導體技術(shù),具體的說是設(shè)計一種MOS柵控晶閘管。本發(fā)明對P+陰極接觸區(qū)10進行改進,增大了P+陰極接觸區(qū)10的寬度,改變了冶金結(jié)形貌,減小了自陰極金屬11流入的電子的運輸通道。器件正向工作特性受到P+陰極接觸區(qū)10、N阱9組成的JFET的控制,在相對較小的陽極電壓下可發(fā)生溝道夾斷效應(yīng),能控制器件飽和電流的大小。P+陰極區(qū)接觸區(qū)10的結(jié)深和寬度可根據(jù)器件設(shè)計要求進行優(yōu)化取值。本發(fā)明尤其適用于MOS柵控晶閘管。
聲明:
“MOS柵控晶閘管” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)