本發(fā)明提供一種橫向高壓功率半導(dǎo)體器件的槽型終端結(jié)構(gòu),屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)在橫向高壓功率半導(dǎo)體器件的曲率終端部分的N型輕摻雜漂移區(qū)內(nèi)引入槽型介質(zhì)條環(huán),使得N型輕摻雜漂移區(qū)內(nèi)的環(huán)型介質(zhì)承擔(dān)了主要耐壓,這樣就避免了由于漏端加高壓所帶來(lái)的源端PN結(jié)冶金界結(jié)面產(chǎn)生高電場(chǎng)峰值,進(jìn)而造成器件耐壓降低。由于介質(zhì)槽的臨界擊穿電場(chǎng)遠(yuǎn)高于硅材料,所以本發(fā)明可以減小器件曲率終端的寬度,使電場(chǎng)線更加集中而不會(huì)提前擊穿,這樣就節(jié)約器件版圖面積,并且與CMOS工藝相兼容,利用本發(fā)明可制作高壓、高速、低導(dǎo)通損耗的橫向高壓功率器件。
聲明:
“橫向高壓功率半導(dǎo)體器件的槽型終端結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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