凸塊下冶金(UBM)和再分布層(RDL)布線結(jié)構(gòu)包括形成在管芯上方的RDL。RDL包括第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分。在RDL中第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分處于相同水平。RDL的第一導(dǎo)電部分通過RDL的絕緣材料與RDL的第二導(dǎo)電部分分離。UBM層形成在RDL上方。UBM層包括導(dǎo)電UBM跡線和導(dǎo)電UBM焊盤。UBM跡線將RDL的第一導(dǎo)電部分電連接至RDL的第二導(dǎo)電部分。UBM焊盤電連接至RDL的第二導(dǎo)電部分。導(dǎo)電連接器形成在UBM焊盤上方并且電連接至UBM焊盤。本發(fā)明實(shí)施例提供一種形成封裝件的方法。
聲明:
“封裝件結(jié)構(gòu)及其形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)