元器件(10)可包括:具有第一表面(21)和遠(yuǎn)離第一表面的第二表面(22)的基板(20),沿一方向在第一表面與第二表面之間延伸的開口(30),及在開口內(nèi)延伸的導(dǎo)電通路(40)。基板(20)可具有小于10ppm/℃的熱膨脹系數(shù)。導(dǎo)電通路(40)可包括復(fù)數(shù)個(gè)基體顆粒(50),每個(gè)基體顆粒都包括第一金屬的第一區(qū)域(51),該第一區(qū)域基本由不同于第一金屬的第二金屬層(52)所覆蓋?;w顆粒(50)可冶金接合在一起,且顆粒的第二金屬層(52)可至少部分地?cái)U(kuò)散至第一區(qū)域(51)內(nèi),導(dǎo)電通路(40)可包括散布在已接合基體顆粒(50)之間的空穴(60)??昭?60)可占據(jù)導(dǎo)電通路(40)的10%或更多的容積。
聲明:
“應(yīng)用導(dǎo)電顆粒的低應(yīng)力TSV設(shè)計(jì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)