本發(fā)明公開(kāi)了一種三維多孔銅硅碳復(fù)合一體化電極及其制備方法,銅硅簡(jiǎn)單的球磨方法形成銅硅合金,結(jié)合有機(jī)膜的非溶劑致相分離法制備前驅(qū)體,通過(guò)
粉末冶金的固相燒結(jié)法制備出具有一定韌性及機(jī)械強(qiáng)度的三維多孔銅硅膜,利用化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)
石墨烯和
碳納米管,通過(guò)控制溫度,氣體通入時(shí)間及乙炔的流量來(lái)控制石墨烯和碳納米管的生長(zhǎng),最終制得銅硅碳復(fù)合一體化電極。三維多孔結(jié)構(gòu)可以為循環(huán)過(guò)程中硅的體積膨脹提供充足的空間,而石墨烯和碳納米管有較大的比表面積,可以形成穩(wěn)定的SEI膜,可以防止電極材料的粉化及破碎,最終使得其保持穩(wěn)定的
電化學(xué)循環(huán),具有廣泛的實(shí)際應(yīng)用意義。
聲明:
“三維多孔銅硅碳復(fù)合一體化電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)