本發(fā)明披露了由升級(jí)的冶金級(jí)硅形成
太陽(yáng)能電池器件,其已接受至少一種缺陷設(shè)計(jì)工藝,并包括低接觸電阻電路徑??狗瓷渫繉有纬捎诎l(fā)射極層上而背接觸形成于本體硅襯底的背面上。該
光伏器件可以在可避免先前缺陷設(shè)計(jì)工藝逆轉(zhuǎn)的足夠低的溫度下燒制形成背面電場(chǎng)。該工藝進(jìn)一步在抗反射涂層中形成開(kāi)口并在該涂層中的開(kāi)口上形成低接觸電阻金屬層,如鎳層。該工藝可以對(duì)低接觸電阻金屬層退火而形成n-摻雜部分并完成n-摻雜層的電傳導(dǎo)路徑。這種低溫金屬化(例如,<700℃)支持使用UMG硅用于太陽(yáng)能器件形成而不存在逆轉(zhuǎn)早期缺陷設(shè)計(jì)工藝的風(fēng)險(xiǎn)。
聲明:
“使用基于低等級(jí)原料材料的晶體硅的太陽(yáng)能電池及制造方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)