本發(fā)明涉及一種高純鉭靶材的生產(chǎn)方法,其包括(1)將大小為5~10mm*5~10mm的鉭塊置于氫化爐中進(jìn)行吸氫;(2)將吸氫完畢的鉭破碎成-200目的粉末,置于鋼包套中,按一定速率和階段進(jìn)行升溫和抽氣,之后將鋼包套置于熱等靜壓機(jī)中進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)溫度為1100~1500℃,氣氛壓力為50~200MPa,最后機(jī)加工,切割成規(guī)定形狀,即得。本發(fā)明采取
粉末冶金的方法并結(jié)合特定的工藝條件,可以獲得織構(gòu)分布均勻、晶粒大小分布均勻且晶粒尺寸小的鉭靶材,該靶材具有高沉積速度和較好的膜均一性,產(chǎn)生出較少的電弧和粒子并具有較好的成膜性能。特別是,本發(fā)明的方法的工藝過(guò)程簡(jiǎn)單,成本較低。
聲明:
“高純鉭靶材的生產(chǎn)方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)