本發(fā)明涉及一種摻雜
半導(dǎo)體材料的方法。本質(zhì)上,所述方法包括將一定量的粒子半導(dǎo)體材料與離子鹽或離子鹽制劑混合。優(yōu)選地,該粒子半導(dǎo)體材料包含尺寸在1NM至100ΜM范圍內(nèi)的納米粒子。更優(yōu)選地,該粒度在50NM至500NM的范圍內(nèi)。優(yōu)選的半導(dǎo)體材料是本征和冶金級硅。本發(fā)明延伸至包含摻雜的半導(dǎo)體材料以及粘合劑和溶劑的可印刷組合物。本發(fā)明還延伸至由具有P和N型性質(zhì)的可印刷組合物的層形成的半導(dǎo)體裝置。
聲明:
“粒子半導(dǎo)體材料的摻雜” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)