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用于低-K的互連結(jié)構(gòu)的柔順的鈍化邊緣密封

1045   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:46:02
本發(fā)明公開了芯片或芯片封裝的結(jié)構(gòu),具有機(jī)械 上去耦但電耦合到芯片上的多層互連的最終鈍化層和端子冶 金。這種去耦使芯片可以經(jīng)受得住在最終鈍化區(qū)中的封裝應(yīng) 力,應(yīng)變從其中的去耦區(qū)和柔順的引線消除,因此芯片上的互 連層面不會(huì)感受到外部的封裝或其它的應(yīng)力。這種結(jié)構(gòu)特別適 合于由Cu和低-k的電介質(zhì)構(gòu)成的芯片上互連,該低-k的電 介質(zhì)相對(duì)于SiO2具有更差的機(jī) 械特性。去耦區(qū)在晶片上的所有芯片上延伸。它也可以延伸進(jìn) 封邊或者切割溝槽區(qū)以允許芯片切割和在晶片 上的每個(gè)芯片周圍這種機(jī)械去耦特性的保持。
聲明:
“用于低-K的互連結(jié)構(gòu)的柔順的鈍化邊緣密封” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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