本發(fā)明涉及晶體硅
太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,特別是指低純度單晶硅太陽(yáng)能電池的制造方法,將純度為4N~5.5N的硅片首先進(jìn)行高溫煅燒,然后進(jìn)行清洗和表面織構(gòu)化處理,使硅片表面形成金字塔結(jié)構(gòu)絨面,并采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜厚為0.1-10μm的本征硅膜,再經(jīng)過(guò)晶體硅太陽(yáng)能電池的常規(guī)工藝進(jìn)行處理,制成低純度單晶硅太陽(yáng)能電池,克服了4N~5.5N的硅片采用普通晶體硅太陽(yáng)能電池的制造方法制造的電池漏電流過(guò)大而無(wú)法使用的缺點(diǎn),使得冶金法制得的4N~5.5N的硅片可用于制造太陽(yáng)能電池。
聲明:
“低純度單晶硅太陽(yáng)能電池的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)