一種封裝結(jié)構(gòu),包括第一導(dǎo)電墊層,位于絕緣層之中;第一凸塊下冶金結(jié)構(gòu),位于絕緣層之下,在平面圖中,第一凸塊下冶金結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域受限于第一導(dǎo)電墊層的第二區(qū)域之中;以及第一導(dǎo)電導(dǎo)孔,位于絕緣層之中,且垂直連接至第一導(dǎo)電墊層及第一凸塊下冶金結(jié)構(gòu)。
聲明:
“封裝結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)