一種本征隔離結(jié)構(gòu)
太陽能電池,它依次包括鋁背場(chǎng)/P型晶體硅襯底/本征非晶硅薄膜/N型非晶硅薄膜/透明導(dǎo)電薄膜/銀柵線,其中P型晶體硅襯底由冶金法制得。和現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明采用低成本的冶金法制得的硅材料制造太陽能電池的P型或N型晶體硅襯底,改變了傳統(tǒng)電池的結(jié)構(gòu),克服了由冶金法材料制造的太陽能電池的反向電流大和效率較低的缺點(diǎn),使得低成本的冶金法硅材料電池得以大規(guī)模應(yīng)用。
聲明:
“本征隔離結(jié)構(gòu)太陽能電池及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)