本發(fā)明提供一種快速恢復二極管,包括p型半導體層和與p型半導體層接觸的n型半導體層,其中,橫向上,從p型側外表面到冶金結處,p型半導體層內的少子壽命逐漸變長、摻雜濃度逐漸降低,從冶金結處到n型側外表面,所述n半導體層內的少子壽命逐漸變短、摻雜濃度逐漸增加。該快速恢復二極管通過控制摻雜濃度和少子壽命來獲取具有較好的正向恢復特性。本發(fā)明還提供另一種快速恢復二極管,也通過控制P型半導體層和n型半導體層中的摻雜濃度和少子壽命來獲取較好的反向恢復特性;本發(fā)明還提供另一種快速恢復二極管,也通過控制P型半導體層和n型半導體層中的摻雜濃度和少子壽命來獲取同時具有較好的正向恢復特性和反向恢復特性。
聲明:
“快速恢復二極管” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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