本發(fā)明涉及硅的提純和除雜方法,即從較低純度的硅獲得較高純度、滿足半導體和電子元器件所需的純度較高的硅材料的方法。現(xiàn)有的高純硅制造方法,存在著能耗大、生成環(huán)境危害因子、成本高、工藝復雜、投資大等問題,本發(fā)明采用將硅材料和特定熔劑、特定除雜劑制成的含硅熔體的方法,經精煉純化,并使硅從熔體中分離出來,得到純化的硅,經進一步除去熔劑成分,獲得可應用于半導體和電子元器件領域的高純硅或硅晶體。適用于從各種純度的硅或含硅材料制取高純硅或硅晶體。
聲明:
“硅的冶金化學提純方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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