本發(fā)明提供一種冶金
多晶硅片磷吸雜方法、由所述方法制成的硅片以及由所述硅片制成的
太陽能電池。所述方法包括:腐蝕去除冶金多晶硅片表面損傷層;漂洗硅片并甩干;將硅片置于擴(kuò)散爐中進(jìn)行磷吸雜熱處理,擴(kuò)散磷源流量為650~700ml/min,干氧流量為500~700ml/min,擴(kuò)散溫度為920~970℃,擴(kuò)散時(shí)間為30~45min,然后冷卻硅片;腐蝕去除硅片表面由于磷擴(kuò)散形成的吸雜層和PN結(jié);漂洗硅片并甩干,得到磷吸雜后的冶金多晶硅片。所述硅片少子壽命明顯提高,由所述硅片制成的太陽能電池的反向漏電流和光衰減明顯降低,本發(fā)明方法磷吸雜處理擴(kuò)散時(shí)間短,從而生產(chǎn)周期縮短、能耗降低,適于工業(yè)化生產(chǎn)。
聲明:
“冶金多晶硅片磷吸雜方法及該法制成的硅片和太陽能電池” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)