本發(fā)明屬于冶金技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用晶體硅切割廢料電熱冶金制備太陽能
多晶硅的方法。本發(fā)明方法是將晶體硅切割工序中產(chǎn)生的“超細(xì)碳化硅廢料”、“一次切割廢料”和“二次切割廢料”這三種廢料按照任意比例進(jìn)行混合作為原料,進(jìn)行酸洗除雜后進(jìn)行高溫真空處理,配入二氧化硅粉料,加入粘結(jié)劑,混合均勻后壓制成球團(tuán)并烘干,放入礦熱爐或電弧爐內(nèi),進(jìn)行高溫冶煉制備出純度≥99.9wt%的高純硅,對(duì)高純硅再進(jìn)行定向凝固,得到太陽能級(jí)的多晶硅產(chǎn)品。本發(fā)明將晶體硅切割工序中產(chǎn)生的廢料變廢為寶,并通過電熱冶煉的方法獲得了太陽能級(jí)的多晶硅,實(shí)現(xiàn)了資源的高效再生利用。
聲明:
“用晶體硅切割廢料電熱冶金制備太陽能多晶硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)