本發(fā)明提供一種冶金污穢對(duì)絕緣子表面電場影響的仿真方法,建立模型:一立方體及位于其內(nèi)的一長方形平板;長方形平板包括兩層,一厚層和一薄層;在所述薄層內(nèi)排布多個(gè)球體;所述立方體模擬周圍的空氣;所述厚層的長方形平板模擬輸電線路外的絕緣子表層;所述薄層的長方形平板模擬絕緣子表層外的污穢鹽層;所述球體模擬懸浮電位導(dǎo)體的金屬顆粒。本發(fā)明的有益效果是:建立模型,然后根據(jù)實(shí)際采樣分析結(jié)果設(shè)置模型的參數(shù),從而微觀上模擬冶金污穢對(duì)絕緣子表面電場的影響。
聲明:
“冶金污穢對(duì)絕緣子表面電場影響的仿真方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)