一種太陽(yáng)能級(jí)
多晶硅的制造方法,包括以下工藝步驟:將金屬硅在高周波電磁誘導(dǎo)精煉爐中熔化為熔融硅;將熔融硅的溫度升至1500-1600℃,在升溫過(guò)程中間隔性地往熔融硅里面添加造渣劑;將硅料置于一次直拉爐裝置中進(jìn)行直拉,初次除去硅料中的金屬雜質(zhì);將硅料置于連續(xù)進(jìn)料真空熔煉爐中,在低于10-3Pa的真空狀態(tài)下進(jìn)行熔煉,除去其中的磷雜質(zhì);將硅料傾入二次直拉裝置中進(jìn)行二次直拉,再次除去硅料中的其它金屬雜質(zhì),得到硅棒;切除硅棒尾部,即可得到6N以上提純好的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。本發(fā)明通過(guò)高周波電磁誘導(dǎo)精煉除硼,一次直拉去除部分金屬雜質(zhì),通過(guò)連續(xù)真空除磷和二次直拉去除金屬雜質(zhì)來(lái)獲得低成本的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的生產(chǎn)。
聲明:
“太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的制造方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)