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CIS系薄膜的濺鍍方法

1019   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:34:16
一種CIS系薄膜的濺鍍方法,包含以下步驟:在一個(gè)含有惰性氣體 的減壓環(huán)境內(nèi)對(duì)一種含有CuInxGa1-xSySe2-y的組分并具有黃銅礦晶相的 靶材施加一個(gè)預(yù)定輸出功率,以在該減壓環(huán)境內(nèi)產(chǎn)生一種含有該靶材 的組分的電漿氣體,且在一基材上形成一種含有CuInxGa1-xSySe2-y的組 分并呈黃銅礦晶相的薄膜,其中,0.8≤x≤1,0≤y≤2。
聲明:
“CIS系薄膜的濺鍍方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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