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高純碳化硅粉及其制備方法

841 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 14:34:08

本申請公開了一種高純碳化硅粉及其制備方法，屬于半導體材料制備領域。該高純碳化硅粉的制備方法包括下述步驟：提供β碳化硅粉和/或α碳化硅粉作為初碳化硅粉料；將初碳化硅粉料重結晶，制得碳化硅多晶塊；將碳化硅多晶塊除碳提純，制得高純碳化硅粉；所述重結晶的溫度不低于2500℃。本申請通過重結晶的方法提高制得的高純碳化硅粉的純度，無需經過濕法冶金或酸洗步驟除雜，污染小、毒性小、操作性高；并且純碳化硅粉在600?799℃下通氧氣的除碳提純步驟使得碳化多晶塊的去碳效果好、制得的高純碳化硅粉的氧化程度低，高純碳化硅粉用于生長碳化硅單晶的氧雜質影響小；該制備方法可制得純度不低于99.9999％的高純碳化硅粉，且高純碳化硅粉的粒度可控。

聲明：

“高純碳化硅粉及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)