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半導體器件的制造方法

1136   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網  
2023-03-18 14:34:08
本發(fā)明提供一種半導體器件的制造方法,包括:提供半導體襯底,在所述半導體襯底上形成層間介電層,在所述層間介電層中形成銅金屬互連溝槽或通孔;采用濕法冶金工藝在所述銅金屬互連溝槽或通孔的側壁及底部形成CuMn合金種子層;在所述銅金屬互連溝槽或通孔內填充銅金屬,以形成銅金屬互連結構。根據本發(fā)明,可以使形成的CuMn合金種子層不發(fā)生懸垂突出現(xiàn)象,以利于后續(xù)電鍍銅金屬的實施。
聲明:
“半導體器件的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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