本發(fā)明涉及
納米材料制備領(lǐng)域,特別涉及一種冶金過(guò)程直接制備納米硅粉體材料的方法。該方法的步驟包括:將含Si的SiMe合金作為陽(yáng)極進(jìn)行電解,陰極得到電解精煉金屬M(fèi)e;收集電解產(chǎn)生的陽(yáng)極泥,將陽(yáng)極泥用酸處理,去除金屬雜質(zhì)后、用去離子水清洗干凈,即得到粒度為20-30nm的納米硅粉體;所述SiMe合金中,Si的質(zhì)量百分含量為0.5-13%;余量為Me。與現(xiàn)有制備納米硅的方法相比,本發(fā)明成本低、操作簡(jiǎn)單,適合于大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“電解精煉過(guò)程中直接制備納米硅粉體的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)