一種晶體硅可控化生長及提純的方法,屬于冶金提純及晶體生長交叉技術(shù)領(lǐng)域。該方法構(gòu)建具有三明治結(jié)構(gòu)“冶金硅?溶劑金屬?籽晶”的樣品原料,放置于具有溫度梯度的熱場中進行加熱、保溫,待保溫結(jié)束后快速淬火冷卻至室溫,最終分離得到生長速度可控、品質(zhì)(純度、雜質(zhì)分布)可控、晶體取向可控的塊狀晶體硅,并將冶金硅源、硅合金及籽晶回收重復(fù)利用。本發(fā)明主要通過添加冶金硅源以促進晶體硅穩(wěn)定生長,提高生長速率;添加籽晶襯底以有效調(diào)控生長硅晶體取向;其次通過添加低熔點溶劑金屬與冶金硅形成合金熔體,有效降低晶體硅生長溫度,降低能耗,降低生長硅中雜質(zhì)含量,提高提純效果。本發(fā)明生長提純晶體硅滿足太陽能級硅的要求,節(jié)能降耗環(huán)保,生產(chǎn)效率高。
聲明:
“利用硅合金可控化生長高純塊狀晶體硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)