本發(fā)明屬于冶金制備領(lǐng)域,特別涉及一種磁控濺射CO-CR-TA合金靶的制造方法。該方法以99.95%的電解鈷,99.9%的電解鉻,99.9%的鉭為原料,經(jīng)真空熔煉,鑄錠、鍛造,軋制,熱處理(或經(jīng)真空熔煉,鑄錠,軋制,熱處理),然后機(jī)加工成成品。合金成分AT%范圍為:CO 73-88%,CR 8-25%,TA 2-6%;在熔煉過程中澆注溫度在熔點(diǎn)以上50℃~150℃,鍛造溫度在1000℃~1200℃,軋制溫度為1100℃~1300℃,熱處理溫度為700℃~1000℃,保溫4~10小時(shí),然后淬火。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有成品成分控制精確,分布均勻,成品的純度高,密度大、磁透率高的優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“磁控濺射CO-CR-TA合金靶的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)