本發(fā)明一種去除
多晶硅中雜質(zhì)磷和金屬雜質(zhì)的方法及裝置,屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將多晶硅中的雜質(zhì)磷和金屬雜質(zhì)去除的方法。用電子束熔煉和感應(yīng)加熱相互配合的方式,完成對(duì)多晶硅的熔煉和凝固過(guò)程。用高純硅粉平鋪在水冷銅底座填滿石英坩堝的鏤空空間;將多晶硅料裝入石英坩堝中,關(guān)閉真空裝置蓋;抽真空過(guò)程,先用機(jī)械泵、羅茲泵將真空室抽到低真空,再用擴(kuò)散泵將真空抽到高真空;所用的裝置由真空裝置蓋、真空?qǐng)A桶構(gòu)成裝置的外殼,真空?qǐng)A桶內(nèi)腔即為真空室,真空室內(nèi)裝有熔煉系統(tǒng)。本發(fā)明有效提高了多晶硅的純度,具有效率高、裝置簡(jiǎn)單、節(jié)約能源的優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“去除多晶硅中雜質(zhì)磷和金屬雜質(zhì)的方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)