冶金法制備太陽能級
多晶硅的方法及該方法制備的多晶硅,涉及一種多晶硅的制備方法及用該方法制備的多晶硅。本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有冶金法制備太陽能級多晶硅其純度不夠高的問題。本發(fā)明主要通過氧化造渣,加入造渣劑,把硅熔體中的雜質(zhì)氧化后上浮于硅熔體的上層,然后再繼續(xù)給熔體一個自下而上的冷凝梯度,使硅熔體與爐渣更好的分離,同時真空定向凝固有利于雜質(zhì)的進一步去除。然后把硅錠破碎,將聚集在晶界處的雜質(zhì),利用氫氟酸進一步去除得到太陽能級硅。本發(fā)明與傳統(tǒng)化學(xué)法相比,能耗大大降低,生產(chǎn)周期縮短、適合工業(yè)化生產(chǎn)。整個生產(chǎn)過程中無污染,酸浸過程的廢料可通過簡單的中和后排出。本發(fā)明可將冶金硅提純到太陽能級硅。
聲明:
“冶金法制備太陽能級多晶硅的方法及該方法制備的多晶硅” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)