1100℃高壓氫氣管式爐 272     

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1100℃高壓氫氣管式爐OTF-1200X-60HG是專為在氫氣條件下處理樣品而設(shè)計(jì)的，最高溫度可達(dá)1100℃，采用可編程的30段精密溫度控制器。本機(jī)爐管采用無(wú)縫鎳基合金制作而成，爐管可用于所有惰性氣體和氧氣氣氛，氣壓可達(dá)到30 PSI。此外，本機(jī)設(shè)有3M氫氣探測(cè)報(bào)警器，一旦發(fā)現(xiàn)泄露，報(bào)警器將自動(dòng)關(guān)閉高純氫氣發(fā)生器。

800℃雙溫區(qū)高壓爐 278     

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800℃雙溫區(qū)高壓爐OTF-1200X-II-HVHP-80是高溫高壓管式爐，爐管采用 SS310S鎳基合金鋼制作而成，兩端配有法蘭和閥門，專為在105 PSI高壓下使用，可在通入氧化或惰性氣體的氣氛下，處理特殊的化合物。本機(jī)采用PID方式進(jìn)行控溫，每個(gè)溫區(qū)可獨(dú)立控制。

2000℃溫度可控型30KW感應(yīng)加熱爐 282     

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2000℃溫度可控型30KW感應(yīng)加熱爐SP-85KTC是一款較大型高溫感應(yīng)加熱、熔煉爐系統(tǒng)，配備30KW感應(yīng)加熱器、8.5"（216mm）石英管、鉸接式法蘭及閥門、石墨坩堝、石墨毯、氧化鋁保溫毯、16L/min循環(huán)冷水機(jī)、真空泵和移動(dòng)爐架，最高溫度可以達(dá)到2000℃（使用時(shí)石英管內(nèi)需通入保護(hù)性氣體），是生長(zhǎng)晶體、金屬熔煉和各種材料的熱處理的**選擇。

小型混合管式/箱式爐 213     

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KSL-1100X-S-H是一款通過CE認(rèn)證的小型混合管式/箱式爐，其爐膛尺寸為100x100x100mm,做為單純的箱式爐可對(duì)樣品在空氣環(huán)境下進(jìn)行熱處理。此款設(shè)備配有石英爐管和不銹鋼密封法蘭，可對(duì)樣品在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下進(jìn)行熱處理。設(shè)備最高溫度可達(dá)1100℃，而且功率僅僅為500-700W。另外設(shè)備體積較小，可放入到手套箱里操作。

小型金屬熔煉吸鑄爐 275     

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MSM20-8（非自耗式）小型金屬熔煉吸鑄爐是一款小型的電弧熔煉爐，可在不破壞氣體保護(hù)氣氛的條件下翻轉(zhuǎn)合金錠進(jìn)行多次熔煉，且可以同時(shí)制備多個(gè)樣品（少于7個(gè)），是高等院校、科研院所制備金屬及合金試樣的理想設(shè)備，可用于新型合金材料的制備及提純、混合應(yīng)用。

1200℃雙管三溫區(qū)管式爐 268     

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1200℃雙管三溫區(qū)管式爐（石墨烯生長(zhǎng)）OTF-1200X-III-D5-4最高工作溫度可以達(dá)到1200℃，專門針對(duì)于用CVD方法在金屬箔上生長(zhǎng)薄膜物質(zhì)，如石墨烯、太陽(yáng)能電池的電極材料和其他電池電極材料等。

加熱平臺(tái) 261     

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MTI系列加熱平臺(tái)是專為材料加工及材料研究實(shí)驗(yàn)室而開發(fā)，采用鋁材質(zhì)整體鑄造，單片機(jī)作為核心控制部件，升溫速度快，控溫精準(zhǔn)，溫度高低可調(diào)，使用完畢后散熱速度快。MTI系列加熱平臺(tái)主要適用于加熱時(shí)不會(huì)發(fā)生性質(zhì)和性狀改變的材料，即不受加熱影響的材料，尤為適用于對(duì)溫度敏感材料（如晶體、半導(dǎo)體、陶瓷、金屬等材料）的加熱。也可用于實(shí)驗(yàn)室做化學(xué)分析、物理測(cè)定、熱處理時(shí)進(jìn)行物品的烘焙、干燥以及其它溫度試驗(yàn)加熱。設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單操作方便，是實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行加熱用的合適工具。

1400℃鐘罩爐 261     

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1400℃鐘罩爐KSL-1400X-BL是大型的鐘罩爐，其最高溫度為1400℃，容積為512L，是金屬退火和高溫?zé)Y(jié)的**理想設(shè)備。

1200℃小型8通道管式爐(高通量燒結(jié)) 259     

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GSL-1200X-MGI-8是一款1200℃小型8通道管式爐，其爐管直徑為20mm，可用于高通量燒結(jié)，最高溫度可達(dá)1200℃。每個(gè)加熱模塊都由獨(dú)立的溫控系統(tǒng)控制，每個(gè)爐管采用真空法蘭密封，可同時(shí)放入8個(gè)樣品，在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下進(jìn)行不同溫度的熱處理，占地小，能耗低，是高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫?zé)Y(jié)、金屬退火、質(zhì)量檢測(cè)用的理想產(chǎn)品。

1200℃高溫箱式爐(27L) 259     

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1200℃高溫箱式爐（27L）KSL-1200X-M爐膛體積為27L，采用高純氧化鋁作為爐膛材料，且表面涂有高溫氧化鋁涂層，以提高加熱效率和保持爐膛潔凈度，延長(zhǎng)使用壽命。溫控系統(tǒng)采用PID方式調(diào)節(jié)溫度，可設(shè)置30段升降溫程序，最高工作溫度可達(dá)到1200℃。

帶滑動(dòng)法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng) 262     

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帶滑動(dòng)法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃，并通過調(diào)整三個(gè)溫區(qū)而建立不同梯度的熱場(chǎng)，可進(jìn)行退火、擴(kuò)散、在不同氣氛中燒結(jié)樣品及CVD等實(shí)驗(yàn)。

快速升溫CVD系統(tǒng) 267     

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快速升溫CVD系統(tǒng)RTP-1000-F3LV是專為半導(dǎo)體基片、太陽(yáng)能電池及其它樣品（尺寸可達(dá)3″ ）的退火而設(shè)計(jì)，配有3路流量計(jì)和機(jī)械泵。本機(jī)采用 9KW的紅外燈進(jìn)行加熱，最快升溫速度可達(dá) 100℃/s，配有RS485 接口，可以通過控制軟件在計(jì)算機(jī)上控制運(yùn)行并顯示溫度曲線。

1200℃臺(tái)式箱式爐(7.2L,含通氣孔或觀察窗) 263     

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1200℃臺(tái)式箱式爐（7.2L，含通氣孔或觀察窗）KSL-1200X采用瑞典康泰爾電阻絲為加熱元件，最高溫度可達(dá)到1200℃，連續(xù)工作為1100℃。本機(jī)具有表面溫度低、升降溫度速率快、溫場(chǎng)均衡及節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，是高校、科研院所、工礦企業(yè)進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)、金屬退火、質(zhì)量檢測(cè)的理想設(shè)備。

1400℃小型管式爐 206     

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1400℃小型管式爐GSL-1400X是小型高溫管式爐，采用高純氧化鋁剛玉爐管和硅碳棒加熱元件，設(shè)有兩個(gè)真密封法蘭，控制系統(tǒng)采用高精度可控硅移相觸發(fā)控制，其控溫精度為±1℃，可設(shè)置30段升降溫程序，最高溫度可達(dá)1400℃。

1800℃高溫真空管式爐 262     

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1800℃高溫真空管式爐GSL-1800X-S內(nèi)膛中嵌有ZrO2內(nèi)襯，并采用Kanthal Super-1900硅鉬棒為加熱元件，最高溫度可以達(dá)到1800℃，廣泛用于真空或惰性氣體保護(hù)狀態(tài)下，新材料樣品的燒結(jié)和退火。

大口徑管式爐 256     

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GSL-1100X-XX-S是一款雙溫區(qū)的大口徑管式爐,爐管兩端安裝有鉸鏈?zhǔn)讲讳P鋼密封法蘭。此款管式爐可廣泛地應(yīng)用于在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下對(duì)材料進(jìn)行燒結(jié)或退火等熱處理。溫控方面，設(shè)備可達(dá)到最高溫度為1100℃，可設(shè)置30段升降溫程序，控溫精度為+/-1℃。

小型1000℃RTP爐 262     

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小型1000℃RTP爐OTF-1200X-4-RTP 是一款精巧型快速熱處理管式爐，配有4"石英管和真空法蘭，是專為半導(dǎo)體或太陽(yáng)能電池基片（最大3"）的退火而設(shè)計(jì)。本機(jī)采用10KW紅外燈管加熱，最快升溫速度為 50℃/s，設(shè)有30段溫度控制，精度為±1℃。此外，通過RS485口和控制軟件可在計(jì)算機(jī)上實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)控制和溫度曲線顯示。

1000℃臥式馬弗爐 167     

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1000℃臥式馬弗爐爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用電阻絲為加熱元件，且均勻地分布六面墻體，有效的保證了溫場(chǎng)的均勻性。測(cè)溫采用性能穩(wěn)定、長(zhǎng)壽命的“S”型熱電偶，以提高控溫的精準(zhǔn)性。

小型高溫高壓管式爐 324     

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小型高溫高壓管式爐OTF-1200X-HP-12爐管采用鎳基合金鋼制作而成，最高溫度可達(dá)1100℃，同時(shí)可向爐管中通入氧氣、氮?dú)狻⑺魵饧岸栊詺怏w等。

微波高溫馬弗爐 379     

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MF型微波高溫馬弗爐是實(shí)驗(yàn)室專用的標(biāo)準(zhǔn)微波高溫設(shè)備，適用于空氣氣氛條件下微波合成、微波灰化、微波膨化、微波熱處理、微波焙燒、微波煅燒、微波燒結(jié)等工藝實(shí)驗(yàn)研究。

金屬晶體生長(zhǎng)爐 483     

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SKJ-M50-16金屬晶體生長(zhǎng)爐是用坩堝下降法生長(zhǎng)金屬晶體的設(shè)備，可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護(hù)氣氛下、在可控的局部壓力狀態(tài)下運(yùn)行。根據(jù)金屬的屬性，本機(jī)可采用中頻感應(yīng)加熱電源，以及石墨電阻加熱兩種加熱方式；采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫，使結(jié)晶體按照一定的直徑進(jìn)行控制。

微型管式爐 275     

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GSL-1000X-S是一款微型管式爐（管徑：20mm），最高溫度可達(dá)到1000℃，標(biāo)配內(nèi)包含不銹鋼密封法蘭與石英管，客戶接通電源即可立即使用。30段可編程精密溫度控制器,可根據(jù)不同的客戶需求來(lái)設(shè)定升降溫程序。爐體可垂直或水平放置以滿足不同的應(yīng)用，如樣品熱處理、VSL、CVD 以及氣體分析等實(shí)驗(yàn)工藝中。

熔煉鑄造爐 270     

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VIMC-150熔煉鑄造爐適用于鉑、鈀、鈦、黃金、K金、銀和銅等金屬鑄造，廣泛應(yīng)用于學(xué)校、實(shí)驗(yàn)室、珠寶首飾、牙科鑄造和工藝品鑄造等相關(guān)行業(yè)領(lǐng)域，采用智能西門子控制系統(tǒng) ，可連續(xù)24小時(shí)工作；在真空和惰性氣體保護(hù)下，全自動(dòng)真空倒模成形，成品無(wú)氧化、密度高和無(wú)沙孔；全自動(dòng)鑄造過程，融化時(shí)間5-6分鐘；鑄造方法是反轉(zhuǎn)式真空加壓鑄造方式。

1100℃帶校準(zhǔn)系統(tǒng)管式爐 266     

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GSL-1100X-50-LVT 是一款已通過CE認(rèn)證的1100℃分體式真空管式爐. 標(biāo)配內(nèi)包含KF25 轉(zhuǎn)接口、 進(jìn)口數(shù)顯真空計(jì) 、雙旋片機(jī)械泵 、 油霧過濾器,另外配有OMEGA 測(cè)溫儀及K 型熱電偶 一套, 可將K型熱偶從左端法蘭安裝于爐管內(nèi)部從OMEGA測(cè)溫儀上讀取樣品實(shí)時(shí)溫度. 30段可編程溫度控制儀，可按不同客戶的實(shí)驗(yàn)要求設(shè)置所需要的升溫速率，控溫精度±1℃.爐體在加熱過程中真空不能高于1E-2 Torr使用，否則容易造成爐管的損壞。

1700℃立式高溫管式爐 364     

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1700℃立式高溫管式爐GSL-1700X-80VT采用硅鉬棒進(jìn)行加熱，最高溫度可以達(dá)到1700℃，專門針對(duì)于材料在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下的燒結(jié)。溫控系統(tǒng)采用PID控制器，可設(shè)置30段升降溫程序，控溫精度為± 1℃。

1200℃三溫區(qū)可傾斜旋轉(zhuǎn)爐 274     

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1200℃三溫區(qū)可傾斜旋轉(zhuǎn)爐OTF-1200X-5L-R-III主要針對(duì)于粉料的混燒，爐管可360°轉(zhuǎn)動(dòng)，且內(nèi)部設(shè)有4片揚(yáng)料板，可增加粉料燒結(jié)的均勻性，因而適合于實(shí)驗(yàn)室中較多粉料的燒結(jié)，特別是鋰電材料的燒結(jié)，如LiFePO3、LiMnNiO3等。

1200℃立式真空小管式爐 281     

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1200℃立式真空小管式爐OTF-1200X-S-VT是一款小型開啟式立式管式爐，適合于對(duì)樣品在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下吊燒和淬火。采用PID控制器進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)，可設(shè)置30段升降溫程序，控溫精度為± 1℃。

混氣系統(tǒng)4路質(zhì)子 260     

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混氣系統(tǒng)4路質(zhì)子GSL-4Z是用于控制一種到四種的氣體流經(jīng)真空密封的管式爐，這種氣體控制系統(tǒng)安裝在移動(dòng)架內(nèi)，管式爐可以放在移動(dòng)架上面，氣體控制系統(tǒng)的前面板上有控制并顯示氣體流量的調(diào)節(jié)閥，可以用于CVD系統(tǒng)及退火爐，用來(lái)研究氣體環(huán)境對(duì)材料的影響，在半導(dǎo)體和集成電路工業(yè)、特種材料學(xué)科、化學(xué)工業(yè)、石油工業(yè)、醫(yī)藥、環(huán)保和真空等多種領(lǐng)域的科研和生產(chǎn)中有著重要的作用，廣泛應(yīng)用于電子工藝設(shè)備，如擴(kuò)散、氧化、外延、CVD、等離子濺射以及鍍膜設(shè)備、光纖熔煉、混氣配氣系統(tǒng)及其它分析儀器。

高真空鉭加熱爐 266     

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高真空鉭加熱爐是高溫電阻加熱爐。以鉭為加熱元件，適用于高真空狀態(tài)下對(duì)金屬、非金屬及其化合物進(jìn)行燒結(jié)、熔化，也可以對(duì)小型樣品進(jìn)行真空釬焊的操作，如硬質(zhì)合金、鎳基合金、粉末冶金、鎳鈷合金、合金鋼、不銹鋼、稀土釹鐵錋等。高真空鉭加熱爐極限工作溫度為2000℃，工作最高溫度1800℃，工作過程中的加熱速度可以通過溫控表進(jìn)行設(shè)置，但升溫速度過快會(huì)使鉭爐膽的壽命會(huì)有所降低，為了延長(zhǎng)爐子的使用壽命，推薦每分鐘的升溫速度為20℃，在500℃以下可以適當(dāng)加快升溫速度。

1200℃開啟式雙溫區(qū)管式爐 260     

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1200℃開啟式雙溫區(qū)管式爐OTF-1200X-II最高溫度可達(dá)到1200℃，并可通過調(diào)節(jié)兩個(gè)獨(dú)立的控溫程序，使?fàn)t管內(nèi)溫度場(chǎng)形成一梯度。本機(jī)可用CVD方法來(lái)生長(zhǎng)納米材料和制作各種薄膜。