1500℃快速升溫管式爐 310     

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GSL-1100X-RTP50是一款CE認證的快速加熱冷卻爐，配置50mm OD×44mm ID×304.8mm L的高純石英管（單端封口），最高工作溫度可達1100℃，一滑軌安裝在右側法蘭處用于爐管的手動移動，從而實現(xiàn)快速的加熱冷卻。為取得最快加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后將爐管插入到加熱區(qū)內(nèi)；為獲得最快冷卻，可在樣品加熱后從加熱爐中移出爐管在空氣中進行強冷。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環(huán)境下可以達到10℃/s，是低成本快速熱處理的理想爐子。

高真空快速CVD系統(tǒng) 379     

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高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統(tǒng)和高真空機組組成，可進行半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達3″ ）的退火，并采用 10KW的紅外燈進行加熱，最快升溫速度可達 120℃/s，配有RS485 接口，可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。

上吸鑄式感應熔煉爐 211     

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SP-15VSC上吸鑄式感應熔煉爐是一款通過MET質量認證且頂部帶有真空吸鑄裝置的15KW感應加熱/熔化系統(tǒng)。這種獨特的結構設計通過將熔融金屬直接抽吸到頂部石英管中來鑄造產(chǎn)品（3-5mm直徑的合金棒）。真空吸鑄裝置所施加的吸力能夠讓熔體快速運動從而使石英管內(nèi)的熔體的快速凝固。該套設備采用吸鑄法鑄造合金能有效減小合金收縮缺陷，是制備小直徑合金棒的理想工具。

1400℃三溫區(qū)真空氣氛管式爐 294     

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1400℃三溫區(qū)真空氣氛管式爐GSL-1400X-Ⅲ以硅碳棒為加熱元件，采用S型單鉑銠熱電偶測溫和708P溫控儀自動控溫。本機設有真空裝置，可在多種氣氛下工作，主要用于電子陶瓷產(chǎn)品的預燒、燒結、鍍膜、高溫熱解低溫沉積（CVD）等工藝，特別適合批量生產(chǎn)使用。

電弧熔煉爐 224     

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AM-800-3電弧熔煉爐（3工位，帶有鑄造和磁力攪拌系統(tǒng)，最大熔煉量為200g）是一款大型的高真空電弧熔煉系統(tǒng)，3個熔煉工位（3坩堝）。一個工位帶有磁力攪拌系統(tǒng)（熔煉量為80g）,一個熔煉工位帶有真空吸注裝置（熔煉量為150g）,最后一個工位最大熔煉量為200g.此多工位熔煉系統(tǒng)可實時各種實驗用于探索新一代合金。

25KW程序控溫感應熔煉爐 304     

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25KW程序控溫感應熔煉爐SP-25TC是一款小型程控感應熔煉系統(tǒng)，配備有直徑?100mm的石英管、不銹鋼法蘭、石墨坩堝、真空泵、水冷機和移動架，最大功率為25KW，是生長晶體和合金熔煉（熔點< 1700oC）的理想選擇。

小型金屬熔煉爐 338     

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SP-MSM200（非自耗式）小型金屬熔煉爐是一款小型的電弧熔煉爐，可在不破壞氣體保護氣氛的條件下翻轉合金錠進行多次熔煉，且可以同時制備多個樣品（少于7個），是高等院校、科研院所制備金屬及合金試樣的理想設備，可用于新型合金材料的制備及提純、混合應用。

小型開啟式管式爐 301     

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VBF-1200X-H8是一款已通過CE認證的真空管式爐，加熱絲均勻分布石英腔體外側。腔體尺寸 Φ200x340mm水平安裝. 專用水冷法蘭及針閥密封，使用雙旋片機械泵或分子泵機組時真空度可達10-2 ～10-5torr。它是專門針對在1100℃真空或各種氣氛條件下對6"以下的樣品進行熱處理而設計的，同時此款設備也可以作為真空焊接爐，來焊接小的樣品。

氣體霧化金屬粉末制備系統(tǒng) 294     

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GSL-1600X-VIGA300氣體霧化金屬粉末制備系統(tǒng)是**研制開發(fā)的冶金設備，可用于制備鐵基金屬粉末、鎳基金屬粉末、銅粉末、貴金屬粉末等。與同類設備相比，其不僅應用廣泛，且具有體積小便于操作及清理方便的優(yōu)點,是一款實驗室制備材料粉末的理想設備。

1100℃16通道管式爐(高通量退火&淬火) 307     

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GSL-1100X-MGI-16是一款16通道管式爐，針對于高通量樣品燒結，退火和淬火使用，其最高溫度可達1100℃。每個加熱模塊都由獨立的溫控系統(tǒng)控制，每個爐管都是采用真空法蘭密封可對樣品在真空或氣氛保護環(huán)境下進行熱處理。

1100℃高壓氫氣管式爐 288     

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1100℃高壓氫氣管式爐OTF-1200X-60HG是專為在氫氣條件下處理樣品而設計的，最高溫度可達1100℃，采用可編程的30段精密溫度控制器。本機爐管采用無縫鎳基合金制作而成，爐管可用于所有惰性氣體和氧氣氣氛，氣壓可達到30 PSI。此外，本機設有3M氫氣探測報警器，一旦發(fā)現(xiàn)泄露，報警器將自動關閉高純氫氣發(fā)生器。

800℃雙溫區(qū)高壓爐 300     

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800℃雙溫區(qū)高壓爐OTF-1200X-II-HVHP-80是高溫高壓管式爐，爐管采用 SS310S鎳基合金鋼制作而成，兩端配有法蘭和閥門，專為在105 PSI高壓下使用，可在通入氧化或惰性氣體的氣氛下，處理特殊的化合物。本機采用PID方式進行控溫，每個溫區(qū)可獨立控制。

2000℃溫度可控型30KW感應加熱爐 310     

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2000℃溫度可控型30KW感應加熱爐SP-85KTC是一款較大型高溫感應加熱、熔煉爐系統(tǒng)，配備30KW感應加熱器、8.5"（216mm）石英管、鉸接式法蘭及閥門、石墨坩堝、石墨毯、氧化鋁保溫毯、16L/min循環(huán)冷水機、真空泵和移動爐架，最高溫度可以達到2000℃（使用時石英管內(nèi)需通入保護性氣體），是生長晶體、金屬熔煉和各種材料的熱處理的**選擇。

小型混合管式/箱式爐 239     

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KSL-1100X-S-H是一款通過CE認證的小型混合管式/箱式爐，其爐膛尺寸為100x100x100mm,做為單純的箱式爐可對樣品在空氣環(huán)境下進行熱處理。此款設備配有石英爐管和不銹鋼密封法蘭，可對樣品在真空或氣氛保護環(huán)境下進行熱處理。設備最高溫度可達1100℃，而且功率僅僅為500-700W。另外設備體積較小，可放入到手套箱里操作。

小型金屬熔煉吸鑄爐 290     

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MSM20-8（非自耗式）小型金屬熔煉吸鑄爐是一款小型的電弧熔煉爐，可在不破壞氣體保護氣氛的條件下翻轉合金錠進行多次熔煉，且可以同時制備多個樣品（少于7個），是高等院校、科研院所制備金屬及合金試樣的理想設備，可用于新型合金材料的制備及提純、混合應用。

1200℃雙管三溫區(qū)管式爐 280     

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1200℃雙管三溫區(qū)管式爐（石墨烯生長）OTF-1200X-III-D5-4最高工作溫度可以達到1200℃，專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和其他電池電極材料等。

加熱平臺 286     

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MTI系列加熱平臺是專為材料加工及材料研究實驗室而開發(fā)，采用鋁材質整體鑄造，單片機作為核心控制部件，升溫速度快，控溫精準，溫度高低可調，使用完畢后散熱速度快。MTI系列加熱平臺主要適用于加熱時不會發(fā)生性質和性狀改變的材料，即不受加熱影響的材料，尤為適用于對溫度敏感材料（如晶體、半導體、陶瓷、金屬等材料）的加熱。也可用于實驗室做化學分析、物理測定、熱處理時進行物品的烘焙、干燥以及其它溫度試驗加熱。設備結構簡單操作方便，是實驗室進行加熱用的合適工具。

1400℃鐘罩爐 275     

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1400℃鐘罩爐KSL-1400X-BL是大型的鐘罩爐，其最高溫度為1400℃，容積為512L，是金屬退火和高溫燒結的**理想設備。

1700℃三溫區(qū)高溫真空管式爐 275     

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1700℃三溫區(qū)高溫真空管式爐GSL-1700X-Ⅲ采用三個數(shù)字溫度控制器進行獨立控溫，可設置30段升降溫程序，中心加熱區(qū)采用800℃級硅鉬棒加熱，另外兩個溫區(qū)采用硅碳棒進行加熱，調整三個溫區(qū)的溫度，可形成一個溫度梯度，進行功能材料的制備。同時，本機也適用于CVD法制作薄膜外延生長。

1200℃小型8通道管式爐(高通量燒結) 280     

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GSL-1200X-MGI-8是一款1200℃小型8通道管式爐，其爐管直徑為20mm，可用于高通量燒結，最高溫度可達1200℃。每個加熱模塊都由獨立的溫控系統(tǒng)控制，每個爐管采用真空法蘭密封，可同時放入8個樣品，在真空或氣氛保護環(huán)境下進行不同溫度的熱處理，占地小，能耗低，是高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫燒結、金屬退火、質量檢測用的理想產(chǎn)品。

1700℃真空管式爐 232     

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1700℃真空管式爐GSL-1700X-S采用30段程控PID控溫儀，最高溫度可達到1700℃，可廣泛地用于真空或惰性氣體保護狀態(tài)下材料的燒結和退火。

1200℃高溫箱式爐(27L) 274     

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1200℃高溫箱式爐（27L）KSL-1200X-M爐膛體積為27L，采用高純氧化鋁作為爐膛材料，且表面涂有高溫氧化鋁涂層，以提高加熱效率和保持爐膛潔凈度，延長使用壽命。溫控系統(tǒng)采用PID方式調節(jié)溫度，可設置30段升降溫程序，最高工作溫度可達到1200℃。

帶滑動法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng) 290     

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帶滑動法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃，并通過調整三個溫區(qū)而建立不同梯度的熱場，可進行退火、擴散、在不同氣氛中燒結樣品及CVD等實驗。

快速升溫CVD系統(tǒng) 284     

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快速升溫CVD系統(tǒng)RTP-1000-F3LV是專為半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達3″ ）的退火而設計，配有3路流量計和機械泵。本機采用 9KW的紅外燈進行加熱，最快升溫速度可達 100℃/s，配有RS485 接口，可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。

1200℃臺式箱式爐(7.2L,含通氣孔或觀察窗) 293     

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1200℃臺式箱式爐（7.2L，含通氣孔或觀察窗）KSL-1200X采用瑞典康泰爾電阻絲為加熱元件，最高溫度可達到1200℃，連續(xù)工作為1100℃。本機具有表面溫度低、升降溫度速率快、溫場均衡及節(jié)能等優(yōu)點，是高校、科研院所、工礦企業(yè)進行高溫燒結、金屬退火、質量檢測的理想設備。

1400℃小型管式爐 231     

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1400℃小型管式爐GSL-1400X是小型高溫管式爐，采用高純氧化鋁剛玉爐管和硅碳棒加熱元件，設有兩個真密封法蘭，控制系統(tǒng)采用高精度可控硅移相觸發(fā)控制，其控溫精度為±1℃，可設置30段升降溫程序，最高溫度可達1400℃。

1700℃立式淬火爐 212     

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1700℃立式淬火爐GSL-1700X-80VTQ采用直徑80mm的氧化鋁爐管、下置淬冷水箱結構，專為淬火樣品能從高溫狀態(tài)進入冷水或油等淬冷介質中快速冷卻而設計，以研究材料階段性過渡和微觀結構。

1800℃高溫真空管式爐 277     

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1800℃高溫真空管式爐GSL-1800X-S內(nèi)膛中嵌有ZrO2內(nèi)襯，并采用Kanthal Super-1900硅鉬棒為加熱元件，最高溫度可以達到1800℃，廣泛用于真空或惰性氣體保護狀態(tài)下，新材料樣品的燒結和退火。

大口徑管式爐 278     

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GSL-1100X-XX-S是一款雙溫區(qū)的大口徑管式爐,爐管兩端安裝有鉸鏈式不銹鋼密封法蘭。此款管式爐可廣泛地應用于在真空或氣氛保護環(huán)境下對材料進行燒結或退火等熱處理。溫控方面，設備可達到最高溫度為1100℃，可設置30段升降溫程序，控溫精度為+/-1℃。

小型1000℃RTP爐 283     

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小型1000℃RTP爐OTF-1200X-4-RTP 是一款精巧型快速熱處理管式爐，配有4"石英管和真空法蘭，是專為半導體或太陽能電池基片（最大3"）的退火而設計。本機采用10KW紅外燈管加熱，最快升溫速度為 50℃/s，設有30段溫度控制，精度為±1℃。此外，通過RS485口和控制軟件可在計算機上實現(xiàn)實時控制和溫度曲線顯示。